
SBJDCS-D 介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀裝置由介電常數(shù)測(cè)試儀、測(cè)試裝置,電感器及標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成,能對(duì)絕緣材料進(jìn)行頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
SBJDCS-D介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是100kHz~100MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器組成,平板電容器一般用來夾被測(cè)樣品,配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計(jì)算得到。使用SBJDCS-2852D或SBJDCS-2853D數(shù)字介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀裝置具有自動(dòng)計(jì)算介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗(tanδ)。
1 特點(diǎn):
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對(duì)固體絕緣材料在100kHz~100MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ TFT彩屏菜單式顯示多參數(shù):介電常數(shù)(ε),介質(zhì)損耗角(tanδ),Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)和調(diào)諧電容值等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~70MHz(SBJDCS-2852A/D),50kHz~160MHz(SBJDCS-2853A/D)測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào)源輸出口,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。
◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
2 主要技術(shù)指標(biāo):
2.1 tanδ和ε性能:
2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率100kHz~100MHz的tan δ 和 ε 變化的測(cè)試。
2.1.2 tan δ 和 ε 測(cè)量范圍:
tan δ:0.1~0.00005,ε:1~50
2.1.3 tan δ 和 ε 測(cè)量精度(1MHz):
tan δ:±5%±0.00005,ε:±2%
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型號(hào) |
SBJDCS-2851D |
SBJDCS-2852D |
SBJDCS-2853D |
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工作頻率范圍 |
50kHz~50MHz 四位數(shù)顯,壓控振蕩器 |
1kHz~70MHz 四位數(shù)顯,數(shù)字合成 精度:±50ppm |
50kHz~160MHz 四位數(shù)顯,數(shù)字合成 精度:±50ppm |
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Q值測(cè)量范圍 |
1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率 |
1~1000四位數(shù)顯,±0.1Q分辨率 |
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可調(diào)電容范圍 |
40~500 pF ΔC±3pF |
28~490 pF 0.1pF分辨率 |
14~230 pF 0.1pF分辨率 |
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電容測(cè)量誤差 |
±1%±1pF |
±0.5%±0.5pF |
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儀器殘余電感值 |
約20nH |
約8nH |
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2.3 介質(zhì)損耗裝置:
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型號(hào) |
SB915 |
SB916D |
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平板電容器極片尺寸 |
Φ38mm |
Φ38mm |
Φ50mm |
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平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率 |
0~8mm±0.01mm |
0~8mm±0.001mm |
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圓筒電容器線性 |
0.33 pF /mm±0.05 pF |
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圓筒電容器可調(diào)范圍 |
±12.5mm(±4.2pF) |
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裝置插頭間距 |
25mm±0.1mm |
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裝置損耗角正切值 |
≤2.5×10-4 |
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按測(cè)試頻率要求,需要配置不同量的電感器。例如:在1MHz測(cè)試頻率時(shí),要配100μH 或250μH 電感器,在50MHz測(cè)試頻率時(shí),要配0.1μH電感器等。
